企业简介
沈阳拓荆科技有限公司 main business:纳米级镀膜设备及其零部件的研发、设计、制造及技术咨询与服务；纳米级薄膜加工工艺的研发、设计及技术咨询与服务；集成电路制造专用设备及其零部件制造；自有产权房屋租赁。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动。 and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
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沈阳拓荆科技有限公司的工商信息
- 912101005507946696
- 912101005507946696
- 存续（在营、开业、在册）
- 有限责任公司(中外合资)
- 2010-04-28
- 姜谦
- 7117.4787万人民币
- 2010-04-28 至 永久
- 沈阳市浑南区市场监督管理局
- 辽宁省沈阳市浑南区水家900号
- 纳米级镀膜设备及其零部件的研发、设计、制造及技术咨询与服务；纳米级薄膜加工工艺的研发、设计及技术咨询与服务；集成电路制造专用设备及其零部件制造；自有产权房屋租赁。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动。
分支机构
沈阳拓荆科技有限公司的商标信息
沈阳拓荆科技有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN105779972A | 一种喷淋头及其等离子体处理装置 | 2016.07.20 | 本发明提供一种喷淋头，其用于半导体等离子体处理装置，所述半导体等离子体处理装置包括反应腔及设置于所述 |
| 2 | CN106158695A | 一种半导体镀膜设备用的整体式观察盖板 | 2016.11.23 | 一种半导体镀膜设备用的整体式观察盖板，该观察盖板为整体式透明盖板结构，不仅能解决在现有设备反应腔体的 |
| 3 | CN104195525B | 两种气体独立均匀喷气喷淋装置 | 2016.08.24 | 两种气体独立均匀喷气喷淋装置，主要解决现有技术存在的加工成本高及容易出现废品等问题。它包括双通道进气 |
| 4 | CN106609364A | 带有循环媒介自动控温结构的薄膜沉积设备加热底盘 | 2017.05.03 | 本发明属于半导体薄膜沉积应用及制造技术领域，具体涉及一种带有循环媒介自动控温结构的薄膜沉积设备加热底 |
| 5 | CN106607794A | 一种半导体设备中喷淋装置的拆装辅助工装及使用方法 | 2017.05.03 | 一种半导体设备中喷淋装置的拆装辅助工装及使用方法，主要应用于半导体镀膜设备装机调试及停机维护时，安装 |
| 6 | CN106607788A | 一种半导体设备中软质金属螺钉操作保护工装及使用方法 | 2017.05.03 | 一种半导体设备中软质金属螺钉操作保护工装，采用塑料或其他非金属材料制成圆柱体，圆柱体采用一端去除材料 |
| 7 | CN106612601A | 一种机架结构 | 2017.05.03 | 一种机架结构，主要解决现有反应腔体在支撑件上安装不稳定等问题，本发明提供一种机架结构，所述机架结构安 |
| 8 | CN106609359A | 一种半导体镀膜设备真空腔用管路截断方法 | 2017.05.03 | 一种半导体镀膜设备真空腔用管路截断方法，主要解决现有技术中不参与饱和反应的真空环境不能关闭也要占用抽 |
| 9 | CN106609357A | 一种应用于薄膜沉积设备中的动密封顶升结构 | 2017.05.03 | 本发明属于半导体薄膜沉积应用及制备技术领域，具体涉及一种应用于薄膜沉积设备中的动密封顶升结构，包括固 |
| 10 | CN106609891A | 一种智能温控加热保温材料及其温控系统 | 2017.05.03 | 本发明属于半导体领域所应用的加热保温材料技术领域，具体涉及一种智能温控加热保温材料及其温控系统，所述 |
| 11 | CN106610323A | 一种用于PECVD设备中加热盘的测温工装 | 2017.05.03 | 一种用于PECVD设备中加热盘的测温工装，包括测温头，基板和固定件。基板平行置于沉积加热盘的上表面上 |
| 12 | CN106611689A | 一种上盖板开启结构 | 2017.05.03 | 一种上盖板开启结构，包括上铰链和下铰链，两者通过定位连接销连接。上铰链与上盖板固定连接，下铰链与腔体 |
| 13 | CN106609356A | 一种固定与抽气相互独立的管道结构 | 2017.05.03 | 本发明涉及一种固定与抽气相互独立的管道结构，通过固定件与抽气管道相互独立的结构方式，达到内部组件拆卸 |
| 14 | CN106608723A | 石英基Si-C-O气凝胶隔热复合材料及其制备方法 | 2017.05.03 | 本发明属于半导体制备所应用的隔热保温材料技术领域，具体涉及一种石英基Si-C-O气凝胶隔热复合材料及 |
| 15 | CN106611733A | 一种多进口空腔加热支撑架 | 2017.05.03 | 一种多进口空腔加热支撑架，主要解决工艺过程中加热盘温升过快降温慢而导致半导体镀膜设备热交换效率及产能 |
| 16 | CN106611902A | 一种接地装置及使用方法 | 2017.05.03 | 一种接地装置及使用方法，是以消除半导体设备中上电极喷淋装置与下电极薄膜衬底承载件之间打火为目的。该装 |
| 17 | CN106609895A | 一种抽气管路内壁保护层及其制备方法 | 2017.05.03 | 本发明涉及在半导体领域所应用的管路保护措施，具体是一种抽气管路内壁保护层及其制备方法。所述内壁保护层 |
| 18 | CN106610463A | 一种手持式自动校线设备 | 2017.05.03 | 本发明涉及校线设备领域，具体地来讲为一种手持式自动校线设备，可用于设备制造商电缆加工完成后的检验，以 |
| 19 | CN106609361A | 一种多气体多区域的喷淋结构 | 2017.05.03 | 一种多气体多区域的喷淋结构，主要解决现有的喷淋结构不易于控制沉积的时间及特气资源浪费的问题，本发明提 |
| 20 | CN106609350A | 一种负载模块开盖结构 | 2017.05.03 | 一种负载模块开盖结构，主要解决现有负载模块开盖结构采用手动开盖的方式费时费力等问题，本发明提供一种负 |
| 21 | CN106609874A | 一种腔体进气流速调节装置 | 2017.05.03 | 本发明涉及一种进气流速调节装置，具体是在一种半导体制造中，可随腔体进气流量的变化而改变进气速度的调节 |
| 22 | CN106611723A | 一种高产能抽气装置 | 2017.05.03 | 一种高产能抽气装置，主要解决现有半导体薄膜制备设备中传片模块所配备的真空泵利用率较低及设备产能低等问 |
| 23 | CN106611722A | 两腔室集定位与对中心功能于一体的双层支架结构 | 2017.05.03 | 两腔室集定位与对中心功能于一体的双层支架结构，主要解决晶圆的设备产能低、晶圆与支架结构的摩擦系数大等 |
| 24 | CN106608730A | 碳基Si-C-O气凝胶隔热复合材料及其制备方法 | 2017.05.03 | 本发明属于半导体制备所应用的隔热保温材料技术领域，具体涉及一种碳基Si-C-O气凝胶隔热复合材料及其 |
| 25 | CN106609391A | 一种对薄膜沉积设备工艺管路焊接点电抛光的方法 | 2017.05.03 | 本发明属于半导体制造工艺管路焊接处内壁处理方法技术领域，具体涉及一种对薄膜沉积设备工艺管路焊接点电抛 |
| 26 | CN106609366A | 一种气相沉积设备反应气体集中控制系统的运输装置 | 2017.05.03 | 一种气相沉积设备反应气体集中控制系统的运输装置，主要解决现有的控制系统无专用运输装置，而对系统容易造 |
| 27 | CN106609365A | 一种半导体镀膜设备用双通道控温装置 | 2017.05.03 | 一种半导体镀膜设备用双通道控温装置，包括加热盘上盘体和加热盘下盘体，所述加热盘上盘体的下表面开有内媒 |
| 28 | CN106611688A | 一种真空腔体盖板的开合机构 | 2017.05.03 | 本发明涉及一种真空腔体盖板的开合机构，该机构包括撑杆、铰链座、杠杆约束杆a、杠杆约束杆b、杠杆销轴、 |
| 29 | CN106607789A | 多层喷淋板安装工装结构及安装方法 | 2017.05.03 | 多层喷淋板安装工装结构及安装方法，主要解决现有技术中多层喷淋板无专用拆卸、安装工装的问题。该工装包括 |
| 30 | CN106607326A | 一种方便快捷宝石球分拣工装 | 2017.05.03 | 一种方便快捷宝石球分拣工装，包括盒体，筛板和多级分拣室。多级分拣室设置在盒体的底部，筛板盖在多级分拣 |
| 31 | CN106609360A | 一种加热掺杂气体的喷淋结构 | 2017.05.03 | 一种加热掺杂气体的喷淋结构，主要解决现有的喷淋结构无法保证掺杂反应在腔体内部的基底沉积硬质膜的问题， |
| 32 | CN106609354A | 一种半导体镀膜设备可控温基台 | 2017.05.03 | 本发明涉及一种半导体镀膜设备可控温基台，其内部包含基台媒介热价换腔体，以实现对基台温度的快速、准确、 |
| 33 | CN106601578A | 一种水平调整装置 | 2017.04.26 | 一种水平调整装置，包括三角水冷块和三角支撑座，两者大小和形状相同，并通过锁紧螺母和调整螺栓连接。所述 |
| 34 | CN106604419A | 一种灯加热的基片温控系统 | 2017.04.26 | 一种灯加热的基片温控系统，主要解决现有温控系统对基片表面温度无法控制的问题。本发明提供一种灯加热的基 |
| 35 | CN106594161A | 一种气弹簧安装支座 | 2017.04.26 | 一种气弹簧安装支座，包括固定座和安装座，两者通过气弹簧连接。所述的固定座上设有一个滑道和三个固定孔， |
| 36 | CN106586237A | 加热盘线缆保护装置 | 2017.04.26 | 加热盘线缆保护装置，主要解决加热盘线缆在运输、加工过程中，易于受到损坏而导致不能正常使用的问题。它包 |
| 37 | CN106594445A | 一种气体管路的加热方法 | 2017.04.26 | 一种气体管路的加热方法，首先采用铝铸模模具对气体管路进行包裹，然后在模具内穿入电加热材料进行加热，同 |
| 38 | CN106591806A | 一种应用于半导体等离子体处理装置的加热盘 | 2017.04.26 | 一种应用于半导体等离子体处理装置的加热盘，主要解决现有加热盘由于射频电源导致的局部燃烧现象等问题，本 |
| 39 | CN106595961A | 上盖板胶圈检漏工装 | 2017.04.26 | 上盖板胶圈检漏工装，包括管接头，喷头上板，陶瓷环，压板和底板。管接头固定在喷头上板上端的中心处并连接 |
| 40 | CN106567056A | 一种消除SiO<sub>2</sub>膜厚下降的方法 | 2017.04.19 | 本发明属于二氧化硅薄膜半导体制备设备领域，具体地来讲为一种消除SiO<sub>2</sub>膜厚下降 |
| 41 | CN106571330A | 顶针支板调整工装结构及调平方法 | 2017.04.19 | 顶针支板调整工装结构及调平方法，主要解决顶针支板上表面水平调整问题。其工装结构包括：定位销、支杆、调 |
| 42 | CN106571329A | 一种晶圆基板支架结构 | 2017.04.19 | 一种晶圆基板支架结构，主要解决现有晶圆基板与支架结构定位不准确，摩擦大等问题，本发明提供一种晶圆基板 |
| 43 | CN106571318A | 一种用于半导体镀膜设备水冷块定位的方法 | 2017.04.19 | 一种用于半导体镀膜设备水冷块定位的方法，主要解决现有技术需要反复测量、反复调整及定位困难的技术问题。 |
| 44 | CN206098457U | 一种OLED器件的阻挡层结构 | 2017.04.12 | 本实用新型提供一种OLED器件的阻挡层结构,其特征在于此结构由无机薄膜堆叠而成，进一步的由金属氧化物 |
| 45 | CN106555170A | 一种减少PECVD法沉积的薄膜中机械颗粒产生的方法 | 2017.04.05 | 本发明属于半导体集成电路制造工艺技术领域，具体涉及一种减少PECVD法沉积的薄膜中机械颗粒产生的方法 |
| 46 | CN106555169A | 一种改善连续沉积多片氮氧硅薄膜不清洗膜性能的方法 | 2017.04.05 | 一种改善连续沉积多片氮氧硅薄膜不清洗膜性能的方法，通过改善预敷层沉积的处理方式，解决了现有技术存在的 |
| 47 | CN106558467A | 一种半导体设备等离子腔体用电子匹配器 | 2017.04.05 | 一种半导体设备等离子腔体用电子匹配器，它包括N个固定电容。上述电容串联，并连接于射频电源与等离子体设 |
| 48 | CN106555157A | 一种铝制加热盘氟化处理的工艺方法 | 2017.04.05 | 一种铝制加热盘氟化处理的工艺方法，主要解决现有铝制加热盘的绝缘性差等问题，本发明提供一种铝制加热盘氟 |
| 49 | CN106558515A | 一种半导体设备中加热基底升降重复性验证工装及验证方法 | 2017.04.05 | 半导体设备中加热基底升降重复性验证工装，主要解决现有技术加热基底受机加零件加工精度影响而导致的升降高 |
| 50 | CN106555171A | 一种改善连续沉积多片不清洗薄膜均匀性趋势的方法 | 2017.04.05 | 一种改善连续沉积多片不清洗薄膜均匀性趋势的方法，主要解决使用等离子体化学气相沉积设备连续沉积多片后清 |
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